MOS管集成電路使用操作準(zhǔn)則總結(jié)-MOS管集成電路分類和優(yōu)點(diǎn)
MOS管集成電路知識詳解
MOS管集成電路知識詳解
（一）MOS管集成電路簡介
MOS集成電路是以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應(yīng)晶體管。直到1968年解決了MOS器件的穩(wěn)定。MOS集成電路是一種常用的集成電路。最小單元是反相器，由兩只金屬一氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管組成。這種集成工藝主要用于數(shù)字集成電路的制造，電路集成度可以很高。
（二）MOS管集成電路類型
1、按晶體管的溝道導(dǎo)電類型，可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS晶體管結(jié)合成一個(gè)電路單元的互補(bǔ)MOSIC，分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS集成電路。
2、按柵極材料可分為鉛柵、硅柵、硅化物柵和難熔金屬（如鉬、鎢）柵等MOSIC，柵極尺寸已由微米進(jìn)入亞微米（0.5～1微米）和強(qiáng)亞微米（0.5微米以下）量級 。
（三）MOS管集成電路的優(yōu)點(diǎn)
①制造結(jié)構(gòu)簡單，隔離方便。
②電路尺寸小、功耗低適于高密度集成。
③MOS管為雙向器件，設(shè)計(jì)靈活性高。
④具有動(dòng)態(tài)工作獨(dú)特的能力。
⑤溫度特性好。其缺點(diǎn)是速度較低、驅(qū)動(dòng)能力較弱。一般認(rèn)為MOS集成電路功耗低、集成度高，宜用作數(shù)字集成電路；雙極型集成電路則適用作高速數(shù)字和模擬電路。
MOS管集成電路使用操作準(zhǔn)則
由于不可避免的短時(shí)間操作弓起的高靜電電壓放電現(xiàn)像，例如人在打臘地板上走動(dòng)時(shí)會(huì)弓起高達(dá)4KV-15KV的靜電高壓，此高壓與環(huán)境濕度和表面的條件有關(guān)，因而在使用CMOS管、NMOS管器件時(shí)必須遵守下列預(yù)防準(zhǔn)則:
1、不要超過手冊上所列出的極限工作條件的限制。
2、器件上所有空閑的輸入端必須接 VDD 或 VSS，并且要接觸良好。
3、所有低阻抗設(shè)備（例如脈沖信號發(fā)生器等）在接到 CMOS 或 NMOS 集成電路輸入端以前必然讓器件先接通電源，同樣設(shè)備與器件斷開后器件才能斷開電源。
4、包含有 CMOS 和 NMOS 集成電路的印刷電路板僅僅是一個(gè)器件的延伸，同樣需要遵守操作準(zhǔn)則。從印刷電路板邊緣的接插件直接聯(lián)線到器件也能引起器件損傷，必須避免一般的塑料包裝，印刷電路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成電路的地址輸入端或輸出端應(yīng)當(dāng)串聯(lián)一個(gè)電阻，由于這些串聯(lián)電阻和輸入電容的時(shí)間常數(shù)增加了延遲時(shí)間。這個(gè)電阻將會(huì)限制由于印刷電路板移動(dòng)或與易產(chǎn)生靜電的材料接觸所產(chǎn)生的靜電高壓損傷。
5、所有CMOS和NMOS集成電路的儲存和運(yùn)輸過程必須采用抗靜電材料做成的容器，而不能按常規(guī)將器件插入塑料或放在普通塑料的托盤內(nèi)，直到準(zhǔn)備使用時(shí)才能從抗靜電材料容器中取出來。
6、所有 CMOS 和 NMOS 集成電路應(yīng)當(dāng)放置在接地良好的工作臺上，鑒于工作人員也能對工作臺產(chǎn)出靜電放電，所以工作人員在操作器件之前自身必須先接地，為此建議工作人員要用牢固的導(dǎo)電帶將手腕或肘部與工作臺表面連接良好。
7、尼龍或其它易產(chǎn)生靜電的材料不允許與CMOS和NMOS 集成電路接觸。
8、在自動(dòng)化操作過程中，由于器件的運(yùn)動(dòng)，傳送帶的運(yùn)動(dòng)和印刷電路板的運(yùn)動(dòng)可能會(huì)產(chǎn)生很高的靜電壓，因此要在車間內(nèi)使用電離空氣鼓風(fēng)機(jī)和增濕機(jī)使室內(nèi)相對濕度在 35% 以上，凡是能和集成電路接觸的設(shè)備的頂蓋、底部、側(cè)面部分均要采用接地的金屬或其它導(dǎo)電材料。
9、冷凍室要用二氧化碳制冷，并且要放置隔板，而器件必須放在導(dǎo)電材料的容器內(nèi)。
10、需要扳直外引線和用手工焊接時(shí)，要采用手腕接地的措施，焊料罐也要接地。
11、操作人員使用棉織品手套而不要用尼龍手套或橡膠手套。
12、在工作區(qū)，禁止使用地毯。
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