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        6. 壓敏電阻定義-封裝符號-特性類型與應用圖解
          • 發布時間:2020-04-06 23:29:32
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          • 閱讀次數:
          壓敏電阻定義-封裝符號-特性類型與應用圖解
          什么是壓敏電阻?
          壓敏電阻
          壓敏電阻
          壓敏電阻是電壓相關電阻(VDR)。一個的電阻變阻器是可變的并且取決于所施加的電壓,這個詞由“ var iable res istor ”字樣的部分組成。當電壓增加時,它們的電阻會降低;在電壓過高的情況下,它們的電阻會急劇下降。這種行為使它們適合在電壓浪涌期間保護電路。浪涌的原因可能包括雷擊和靜電放電,最常見的VDR類型是金屬氧化物變阻器或MOV。
          定義
          壓敏電阻是非線性雙元件半導體,隨著電壓的增加會降低電阻。電壓相關電阻通常用作敏感電路的浪涌抑制器。
          壓敏電阻封裝
          以下是經常遇到的不同包的一些示例。塊封裝用于更高的額定功率。
          壓敏電阻
          壓敏電阻封裝圖示
          特點
          電壓相關電阻器具有非線性變化電阻,取決于所施加的電壓。在額定負載條件下阻抗很高,但是當超過電壓閾值(擊穿電壓)時,阻抗會急劇下降到一個低值。它們通常用于保護電路免受過大的瞬態電壓影響。當電路暴露在高壓瞬態時,壓敏電阻開始導通并將瞬態電壓鉗位到安全水平。輸入浪涌的能量部分傳導并部分吸收,保護電路。
          最常見的類型是MOV或金屬氧化物壓敏電阻。它們由氧化鋅(ZnO)晶粒的燒結基質構成。晶界提供PN結半導體特性,類似于二極管結。隨機取向的晶粒矩陣可以與串聯和并聯的大型二極管網絡進行比較。當施加低電壓時,僅通過結的反向泄漏引起非常小的電流流動。然而,當施加超過擊穿電壓的高電壓時,結經歷雪崩擊穿并且大電流可以流動。這種行為導致非線性電流 - 電壓特性。
          電流(I)到端子之間的電壓(V)之間的關系通常用下式描述:壓敏電阻
          術語α描述了非線性程度。圖1顯示了MOV(高α)和SiC壓敏電阻(低α)的特性曲線。
          壓敏電阻
          壓敏電阻電壓-電流特性
          重要的選擇參數是鉗位電壓,峰值電流,最大脈沖能量,額定AC / DC電壓和待機電流。當用于通信線路時,雜散電容也是一個重要參數。高電容可以充當高頻信號的濾波器或引起串擾,從而限制通信線路的可用帶寬。
          在1-1000微秒量級的高瞬態電壓浪涌的情況下,壓敏電阻可用于短時間保護。然而,它們不適合處理持續的浪涌。如果以焦耳(J)為單位的瞬態脈沖能量過高且明顯超過絕對最大額定值,則它們會熔化,燃燒或爆炸。
          MOV在暴露于反復浪涌時會降解。每次浪涌后,MOV的鉗位電壓會稍微降低,多少取決于MOV相對于脈沖的焦耳等級。隨著鉗位電壓越來越低,當鉗位電壓低于受保護的線電壓時,可能的故障模式是部分或完全短路。這種情況可能導致火災。為了防止火災,它們通常與熱熔絲串聯連接,在過熱的情況下斷開MOV。為了限制劣化,建議使用與受保護電路允許的高鉗位電壓,以限制浪涌的暴露量。
          應用
          壓敏電阻的非線性特性使其成為浪涌保護裝置的理想選擇。高壓瞬變源可以是例如雷擊,靜電放電或來自電動機或變壓器的感應放電。它們例如經常用在電涌保護器電源板中。具有低電容的特殊類型可保護通信線路。
          這些VDR適用于各種應用,包括:
          1、電話和其他通信線路保護
          2、無線電通信設備瞬態抑制
          3、電涌保護器電源板
          4、有線電視系統電涌保護器
          5、電源保護
          6、微處理器保護
          7、電子設備保護
          8、低壓板級保護
          9、瞬態電壓浪涌抑制器(TVSS)
          10、汽車電子保護
          11、工業高能交流保護
          類型
          最重要的壓敏電阻類型:
          1.金屬氧化物壓敏電阻 - 上面描述的MOV是一種由氧化鋅(ZnO)組成的非線性瞬態抑制器
          2.碳化硅壓敏電阻 - 這曾經是MOV進入市場之前最常見的類型。這些組件使用碳化硅(SiC)。它們已廣泛用于高功率,高壓應用。這些器件的缺點是它們消耗了大量的待機電流,因此需要一系列間隙來限制待機功耗。
          替代類型的浪涌抑制裝置包括:
          1.硒電池 - 這些抑制器使用硒整流器,可提供高能反向擊穿電流。一些硒細胞具有密封愈合特性,可以承受高能量放電。然而,它們沒有現代MOV的夾緊能力。
          2.齊納二極管 - 采用硅整流技術的瞬態抑制器件。它們具有非常恒定的電壓鉗位能力。這些部件的主要缺點是它們具有有限的能量耗散能力。
          3.撬棒裝置 - 撬棒裝置使浪涌對地短路,這種短路將持續到電流低于某一非常低的水平。創造滯后或力量跟隨效果。撬棍裝置的示例是:
          *氣體放電管(GDT)或火花隙 - 這些器件在產生導電火花后導通,缺點是它們需要相對長的時間來觸發,其優點是具有大的載流能力。
          *晶閘管浪涌保護器件(TSPD)- 具有與GDT類似的特性,但可以更快地動作。
          壓敏電阻符號
          以下是壓敏電阻的符號。它被描述為可變電阻器,其取決于電壓U.
          壓敏電阻
          壓敏電阻符號
          IEC標準
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