如何保護Cmos IC設備
Cmos IC保護電路
所有MOS管器件都具有絕緣柵極，可能會發(fā)生電壓擊穿。例如，用于摩托羅拉CMOS器件的柵極氧化物厚度約為900 A，并且在柵極 - 源極電位約為100伏時發(fā)生擊穿。為了防止這種由靜態(tài)放電或其他電壓瞬態(tài)引起的擊穿，使用圖中所示的保護網絡在CMOS器件的每個輸入端。
靜電損壞設備的行為方式不同，具體取決于損壞的嚴重程度。最嚴重損壞的輸入是最容易檢測的，因為輸入已被完全破壞，并且短路VDD，短路至Vgs或開路。效果是該裝置不再響應信號存在于受損的輸入。較不嚴重的情況更難以檢測，因為它們表示間歇性故障或性能下降 。靜態(tài)損壞的另一個影響是輸入通常具有增加的泄漏電流。
盡管輸入保護網絡提供了大量保護，但CMOS器件工作并不能免受在處理期間可能產生的大靜電壓放電的影響。例如，在4-15kV范圍內（取決于濕度，表面條件等）測量了在蠟地板上行走的人產生的靜電電壓。
保護/安全防護Cmos設備的重要預防措施
1. 不要超過數(shù)據(jù)表中規(guī)定的最大額定值 。
2. 所有未使用的設備輸入應連接到VDD 或Vss 。
3. 只有在器件通電后，所有低阻抗設備（脈沖發(fā)生器等）才應連接到CMOS輸入。同樣，在關閉電源之前應斷開此類設備。
4. 包含CMOS器件的電路板僅僅是器件的擴展，并且適用相同的處理預防措施。 接觸直接連接到設備輸入的邊緣連接器可能會導致?lián)p壞。應避免塑料包裝。雖然與PC板的外部連接連接到CMOS器件的輸入，但應使用與輸入串聯(lián)的電阻。如果取下PC板并使其與靜電產生材料接觸，該串聯(lián)電阻有助于限制意外損壞。串聯(lián)電阻的限制因素是增加的延遲。這是由串聯(lián)電阻和輸入電容形成的時間常數(shù)引起的。請注意，不應超過最大輸入上升和下降時間。在圖中 使用串聯(lián)電阻顯示兩個可能的網絡，以減少ESD（靜電放電）損壞。
這些網絡對保護有用
· 數(shù)字輸入和輸出
· 模擬輸入和輸出
· 3狀態(tài)輸出
· bidiSrectional（I / O）端口。
5. 所有CMOS器件都應采用抗靜電材料儲存或運輸。CMOS設備不得插入傳統(tǒng)的塑料“雪”，塑料泡沫或塑料托盤中，但應留在原始容器中直到準備使用。
6. 所有CMOS器件應放置在地面工作臺表面上，操作人員應在操作設備之前將其自身接地，因為工人可以相對于工作臺表面靜電。強烈建議使用與皮膚接觸的腕帶。
7. 尼龍或其他靜電產生材料不應與CMOS器件接觸。
8. 如果使用自動處理器，則設備，皮帶或板的移動可能會產生大量靜電。使用電離式鼓風機或室內加濕器減少靜電積聚。與IC封裝的頂部，底部或側面接觸的所有機器部件必須接地到金屬或其他導電材料。
9. 使用CO2 進行冷卻的冷室應配備擋板，CMOS器件必須包含在導電材料上或導電材料中。
10. 當需要進行引線矯直或手工焊接時，請為所用設備提供接地帶，并確保焊接接頭接地。
11. 強烈建議使用靜電檢測儀進行生產線監(jiān)測。
12. 設備規(guī)格應提醒用戶存在CMOS設備，并且在執(zhí)行任何類型的維護或更換設備或模塊之前需要熟悉本規(guī)范。
13. 請勿在接通電源的情況下從測試插座插入或移除CMOS器件。檢查用于測試設備的所有電源，確保沒有電壓瞬變。
14. 在進行參數(shù)或功能測試之前，請仔細檢查測試設備的設置，確保VDD 和Vss 的極性正確。
15. 不要回收運輸導軌或托盤。反復使用會導致其抗靜電涂層變質。
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