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        6. IGBT雙脈沖測試原理分析
          • 發(fā)布時(shí)間:2021-01-19 17:58:59
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          IGBT雙脈沖測試原理分析
          通常我們對某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的,往往會有所不同,因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
          因此可以通過雙脈沖測試,對IGBT的性能進(jìn)行更為準(zhǔn)確的評估。
          雙脈沖測試的主要功能如下:
          1、測量IGBT的各項(xiàng)動態(tài)參數(shù)(td>r、Eon、td off、tf、Eoff 等);
          2、通過觀察IGBT的柵極波形,評估IGBT驅(qū)動板是否能為IGBT開啟提供足夠的驅(qū)動電流;
          3、獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù),以評估Rgon與Rgoff的選擇是否合適;
          4、觀察開通、關(guān)斷過程是否有電壓尖峰,評估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路;
          5、評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量;
          6、測量母排的雜散電感;
          雙脈沖測試原理:
          IGBT雙脈沖測試原理
          IGBT雙脈沖測試原理解析
          圖1 雙脈沖測試平臺的電路及理想波形
          IGBT雙脈沖測試的實(shí)測電路及電路拓?fù)淙鐖D1所示。
          用高壓隔離探頭測量Vce及Vge的電壓大小,用羅氏線圈測量電流Ic的大小,測試結(jié)果通過示波器進(jìn)行監(jiān)控;上管IGBT的Vge加負(fù)壓或直接短路,因此它是關(guān)斷的,只有其并聯(lián)的二極管起續(xù)流作用,在實(shí)際測試過程中可以用二極管替代。具體測試原理如下:
          IGBT雙脈沖測試原理
          圖2 雙脈沖測試原理及波形
          如圖2所示,在t0時(shí)刻,被測IGBT的門極接收到第一個(gè)脈沖,被測IGBT導(dǎo)通,母線電壓U加在負(fù)載電感L上,電感上的電流線性上升,表達(dá)式為:
          IGBT雙脈沖測試原理
          IGBT關(guān)斷前的t1時(shí)刻,電感電流的數(shù)值由U和L決定;在U和L都確定時(shí),電流的數(shù)值由IGBT開啟的脈寬T1決定,開啟時(shí)間越長,電流越大。
          因此可以通過改變脈沖寬度的大小,自主設(shè)定電流的數(shù)值。
          t1時(shí)刻,IGBT關(guān)斷,因?yàn)槟妇€雜散電感Ls的存在,會產(chǎn)生一定的電壓尖峰,該尖峰大小為
          IGBT雙脈沖測試原理
          在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察IGBT的關(guān)斷過程,電壓尖峰是重要的監(jiān)控對象。
          IGBT雙脈沖測試原理
          圖3 雙脈沖測試原理及波形
          如圖3所示,t1到t2之間,IGBT關(guān)斷,此時(shí)電流流向如原理圖綠線所示,負(fù)載的電流L的電流由上管二極管續(xù)流,該電流緩慢衰減,如圖3波形圖虛線所示。
          由于電流探頭放在下管的發(fā)射極處,因此,在二極管續(xù)流時(shí),示波器無法顯示該電流。
          IGBT雙脈沖測試原理
          圖4 雙脈沖測試原理及波形
          如圖4所示,在t2時(shí)刻,被測IGBT 再次導(dǎo)通,續(xù)流二極管進(jìn)入反向恢復(fù)狀態(tài),反向恢復(fù)電流會穿過IGBT,此時(shí)電流探頭所測得的Ic為FRD反向電流與電感電流疊加,產(chǎn)生如波形圖所示的電流尖峰。
          在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察IGBT的開通過程,電流峰值是重要的監(jiān)控對象,同時(shí)應(yīng)注意觀察柵極波形是否存在震蕩現(xiàn)象。
          IGBT雙脈沖測試原理
          圖5 雙脈沖測試原理及波形
          如圖5所示,在t3時(shí)刻,被測IGBT再次關(guān)斷,與第一次關(guān)斷相同,因?yàn)槟妇€雜散電感Ls的存在,會產(chǎn)生一定的電壓尖峰。
          在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察關(guān)斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩。
          根據(jù)上述原理,IGBT的實(shí)測波形如下所示:
          C1通道(黃線):Vce、 C2通道(紫線):Vge、 C3通道(藍(lán)線):Ic
          IGBT雙脈沖測試原理
          圖6 IGBT雙脈沖測試波形——關(guān)斷時(shí)刻波形
          IGBT雙脈沖測試原理
          圖7 IGBT雙脈沖測試波形——開啟時(shí)刻波形
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