單結(jié)晶體管有一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極，即一個(gè)發(fā)射極和二個(gè)基極，所以又叫雙基極二極管。
單結(jié)晶體管有一個(gè)重要的電氣特性——負(fù)阻特性，利用這種特性可以組成張弛振蕩器、自激多諧振蕩器、階梯波發(fā)生器、定時(shí)器等多種脈沖單元電路。
單結(jié)晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：在一塊高阻率的N型硅片兩端，制作兩個(gè)接觸電極，分別叫第一基極b1和第二基極b2，硅片的另一側(cè)在靠近第二基極b2處制作了一個(gè)PN結(jié)，并在P型硅片上引出電極E，E叫發(fā)射極。
第一基極b1和第二基極b2之間的純電阻，稱為基區(qū)電阻，一般在2 KΩ~ 10 KΩ之間。第一基極b1與發(fā)射極E之間的電阻，在正常工作時(shí)，將隨發(fā)射極電流而變化。PN結(jié)的作用相當(dāng)于一個(gè)二極管。
在阻值比較中，E-b1的阻值較大，E-b2的阻值較小；即E-b1的阻值大于 E-b2的阻值。
用萬用表測(cè)單結(jié)晶體管的阻值，第一基極b1和第二基極b2之間的正反電阻均一樣，為正常，否則該單結(jié)晶體管性能不好。
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