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          MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管-結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
          • 發(fā)布時(shí)間:2021-02-23 14:15:34
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          MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管-結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
          MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管
          雙極性三極管是電流控制器件,其輸入電阻不夠高,在許多場(chǎng)合下不能滿足人們的要求,經(jīng)過(guò)不斷的探索和實(shí)踐,人們研制出一種仍具有PN結(jié),但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。場(chǎng)效應(yīng)三極管用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流,故此命名,它的特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強(qiáng),在工藝上便于集成,因此得到廣泛的應(yīng)用根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同,場(chǎng)效應(yīng)三極管可分為以下兩大類。
          ① 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管(JFET) 
          ② 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管(MOS管)
          結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
          MOS管,場(chǎng)效應(yīng)管,三極管
          以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例,以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片,在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域,進(jìn)行高濃度P+擴(kuò)散(三價(jià)的硼),在兩側(cè)形成兩個(gè)PN 結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)的引出線連在一起,作為一個(gè)電極,稱之為柵極G。在N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電極,分別叫源極S和漏極D。3個(gè)電極G、S、D的作用,可以近似地認(rèn)為分別相當(dāng)于半導(dǎo)體三極管的基極B、射極E和集電極C。
          兩個(gè)PN結(jié)之間的區(qū)域,稱為導(dǎo)電溝道,當(dāng)在漏極和源極間加上電壓,這個(gè)區(qū)域就是載流子流過(guò)的渠道,也就是電流的通道。由于這里的導(dǎo)電通道是N型半導(dǎo)體,所以這種管子叫N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,它的代表符號(hào)如圖所示。箭頭的方向,表示柵源極間PN結(jié)處于正偏時(shí)柵極電流的方向。P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管不同外,其工作原理完全相同。
          絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)
          絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層,簡(jiǎn)稱MOS管。它有N溝道和P溝道兩類,而每一類又分增強(qiáng)型和耗盡型兩種。所謂增強(qiáng)型就是UGS=0時(shí),漏源之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道,即使在漏源之間加上一定范圍內(nèi)的電壓,也沒(méi)有漏極電流;反之,在UGS=0時(shí),漏源之間存在有導(dǎo)電溝道的稱為耗盡型。 
          如圖是N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)圖:一塊雜質(zhì)濃度較低的P型硅片作為襯底B,在其中擴(kuò)散兩個(gè)N+區(qū)作為電極,分別稱為源極S和漏極D。半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,在漏源極間的絕緣層上再制造一層金屬鋁,稱為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極與其它電極間是絕緣的。
          溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)圖
          MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好), N溝道增強(qiáng)型MOS管在UGS<UT (開(kāi)啟電壓)時(shí),導(dǎo)電溝道不能形成,ID=0,這時(shí)管子處于截止?fàn)顟B(tài);當(dāng)UGS=UT時(shí),導(dǎo)電溝道開(kāi)始形成,此時(shí)若在漏源極間加正向電壓UDD,就會(huì)有漏極電流ID產(chǎn)生,管子開(kāi)始導(dǎo)通;UGS>UT時(shí),隨著UGS的增大,導(dǎo)電溝道逐漸變寬,溝道電阻漸小,漏極電流ID漸大。這種漏極電流ID隨柵極電位UGS的變化而變化的關(guān)系,稱為MOS管的壓控特性。
          顯然,MOS管是一種受電壓控制的電流放大部件。
          MOS管,場(chǎng)效應(yīng)管,三極管
          3. MOS管使用注意事項(xiàng)
          (1) MOS在不使用時(shí)柵極不能懸空,務(wù)必將各電極短接!
          (2)焊接MOS管時(shí),電烙鐵的外殼應(yīng)良好接地,或斷電后再焊。
          (3)有些MOS管將襯底引出,有4個(gè)引腳,這種管子漏極和源極可以互換使用;有些在出廠時(shí)已將源極和襯底相連,只引出3個(gè)引腳,這種管子漏、源極不能對(duì)調(diào)使用。
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