場(chǎng)效應(yīng)管可以用在控制回路中，起到控制負(fù)載回路通斷的作用，也可以用在防反接電路中，避免電源防接將電路燒壞。二極管可以實(shí)現(xiàn)電源防反接，但是二極管會(huì)產(chǎn)生正向壓降，不適合低電壓供電的情況，如3.3V。而場(chǎng)效應(yīng)管因?yàn)閮?nèi)阻低，所以導(dǎo)通壓降可以忽略不計(jì)。下面以MOSFET為例來(lái)介紹場(chǎng)效應(yīng)管的防反接原理。
NMOS防反接原理
用NMOS設(shè)計(jì)防反接電路時(shí)，需要將NMOS放在電源的低端側(cè)。所設(shè)計(jì)的原理示意圖如下圖所示。
當(dāng)電源反接的時(shí)候，G極為低電平和S極同電位，NMOS不導(dǎo)通，不會(huì)燒壞負(fù)載。當(dāng)電源正接的時(shí)候，G極高電平，D極為低電平，因?yàn)榧纳O管的存在，S極的電平為0.7V，此時(shí)VGS為VBat-0.7V大于Vth，則NMOS導(dǎo)通，電路正常工作。
PMOS防反接原理
用PMOS設(shè)計(jì)防反接電路時(shí)，需要將PMOS放在電源的高側(cè)。所設(shè)計(jì)的電路示意圖如下圖所示。
當(dāng)電源反接時(shí)，G極為高電平，PMOS不導(dǎo)通，避免負(fù)載電路被燒壞；當(dāng)電源正接時(shí)，G極為低電平，因?yàn)榧纳O管的原因，S極為VBat-0.7，所以，Vgs小于零，所以PMOS導(dǎo)通，電路正常工作。
需要注意的問(wèn)題
在設(shè)計(jì)防反接電路時(shí)，NMOS要放在低端側(cè)；PMOS要放在高端側(cè)。這一點(diǎn)一定要注意。
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