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        6. 可控硅觸發(fā)電路圖解
          • 發(fā)布時間:2021-04-27 20:03:38
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          可控硅觸發(fā)電路圖解
          可控硅觸發(fā)電路是通過調(diào)整可控硅的導通角來實現(xiàn)電氣設備的電壓電流功率調(diào)整的一種移相型的電力控制器。
          1. 可控硅觸發(fā)電路作用
          以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。
          整流變壓器、調(diào)功機(純電感線圈)、電爐變壓器一次側、直流電機控制。
          單相電焊機、電阻焊機、點焊機控制等各種調(diào)場合。
          單相風機水泵調(diào)速節(jié)能控制。
          電壓、電流、功率、燈光等無級平滑調(diào)節(jié)。同步是通過對電源電路的改進實現(xiàn)的。取自主電路的正弦交流電通過同步變壓器T 降壓,變?yōu)檩^低的交流電壓,然后經(jīng)二極管整流橋變成脈動直流。穩(wěn)壓管VW 和電阻RW的作用是“削波”,脈動電壓小于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值時,VW 不導通,其兩端的電壓與整流輸出電壓相等;如果脈動電壓大于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值,將使VW 擊穿,其兩端電壓保持穩(wěn)壓值,整流橋輸出電壓高出穩(wěn)壓值的部分降在電阻RW上。這樣VW 兩端的電壓波形近似于一個梯形波,用這個電壓取代弛張振蕩電路中的直流電源,起到同步作用。
          由于振蕩電路的電源為梯形波,在主電路正弦波每一半波結束和開始的一段時間,振蕩電路的電源電壓很小,電路不振蕩,同時電容電壓釋放到0。當電源電壓接近梯形波的頂部時,振蕩電路開始工作,當電容充電使兩端的電壓達到單結晶體管峰點電壓Vp時,單結晶體管導通電容放電,放電電流流過R1與被觸發(fā)晶閘管的門極的并聯(lián)電路形成輸出,為晶閘管提供觸發(fā)脈沖,使晶閘管導通。然后電路進入下一振蕩周期,但晶閘管一經(jīng)導通門極就失去控制作用,一個電源電壓半周中振蕩電路輸出的脈沖只是第一個起到觸發(fā)作用,后面的脈沖是無效的。在主電路電壓的半周接近結束時,振蕩電路的電源電壓進入梯形波的斜邊并迅速下降,振蕩電路停振,同時電容電壓釋放到0。因此在主電路的每一個半波中,電容總是從0開始充電,保證了觸發(fā)脈沖與主電路電壓的同步。
          2. 可控硅觸發(fā)電路圖
          可控硅觸發(fā)電路
          3. 可控硅觸發(fā)電路原理
          可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN 結,與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
          我們可以把從陰極向上數(shù)的第一、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E,又在控制極G和陰極C之間(相當BG2的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,經(jīng)放大,BG2將有一個放大了β2 倍的集電極電流IC2 。因為BG2集電極與BG1基極相連,IC2又是BG1 的基極電流Ib1 。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的,對可控硅來說,觸發(fā)信號加到控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。
          可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2 ,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),這一電流遠大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態(tài),只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,使BG1、BG2 的集電極電流小于維持導通的最小值時,可控硅方可關斷。當然,如果E極性反接,BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,E接成正向,而觸動發(fā)信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。
          可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。
          可控硅在實際應用中電路花樣最多的是其柵極觸發(fā)回路,概括起來有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,相位觸發(fā)電路等等。
          1、直流觸發(fā)電路:
          一個電視機常用的過壓保護電路,當E+電壓過高時A點電壓也變高,當它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通,可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,使保險絲RJ熔斷,從而起到過壓保護的作用。
          2、相位觸發(fā)電路:
          相位觸發(fā)電路實際上是交流觸發(fā)電路的一種,這個電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號的相位。當R值較少時,RC時間常數(shù)較少,觸發(fā)信號的相移A1較少,因此負載獲得較大的電功率;當R值較大時,RC時間常數(shù)較大,觸發(fā)信號的相移A2較大,因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應用它。
          可控硅主要參數(shù)有:
          1、額定通態(tài)平均電流
          在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
          2、正向阻斷峰值電壓
          在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。
          3、反向陰斷峰值電壓
          當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。
          4、控制極觸發(fā)電流、
          在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加一定電壓,使可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的最小控制極電流和電壓。
          5、維持電流
          在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。
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