MOS管功率放大器電路圖是由電路穩(wěn)壓電源模塊、帶阻濾波模塊、電壓放大模塊、功率放大模塊、AD轉(zhuǎn)換模塊以及液晶顯示模塊組成。

1.場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖

2.場(chǎng)效應(yīng)管功放電路原理

IC1-A起電壓放大作用，限于供電電壓的緣故，該級(jí)信號(hào)輸出幅度不超過±15V，如果后級(jí)采用射隨器輸出，則輸出功率偏小。本電路既要發(fā)揮運(yùn)放設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔、性能優(yōu)良的特點(diǎn)，又要滿足合適的輸出功率。所以本電路由兩組電源(±15V、±36V)供電，穩(wěn)壓±15V供給運(yùn)放使用，±36V供給后級(jí)使用。BG1、BG2為共射極電路，R8、R9為負(fù)反饋電阻，R1、R5、D1、D2、R18、R19為BG1、BG2提供穩(wěn)定的直流偏置，以保證其處于導(dǎo)通狀態(tài)，本級(jí)除電壓放大作用之外，更主要是實(shí)現(xiàn)了不同電源供電電路的信號(hào)耦合。

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓放大器件，雖然對(duì)驅(qū)動(dòng)電流沒有特別要求，但是要考慮場(chǎng)效應(yīng)管輸入電容對(duì)高頻特性的影響。所以，驅(qū)動(dòng)信號(hào)的內(nèi)阻應(yīng)足夠小。BG3、BG4的驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別取自BG2、BG1的負(fù)載R4、R3。BG1、BG2的集電極負(fù)載電阻被分為兩段，這是由于場(chǎng)效應(yīng)管的柵源驅(qū)動(dòng)電壓不得大于20伏。BG3、BG4為MOSFET對(duì)管組成的漏極輸出級(jí)。R11、R12為源極負(fù)反饋電阻。ICl-B的作用是穩(wěn)定末級(jí)中點(diǎn)的宜流電壓，以實(shí)現(xiàn)功放直流化。R13、R7是環(huán)路負(fù)反饋電阻。R20、R21.為防止MOS管高頻自激而設(shè);C2、R16的作用是防止電路自激。

3.場(chǎng)效應(yīng)管功放電路作用

場(chǎng)效應(yīng)管放大器（FET amplifier）是一種使用場(chǎng)效應(yīng)管（field-effect transistor (FET)）的放大器。在放大器應(yīng)用中，場(chǎng)效應(yīng)管的主要優(yōu)點(diǎn)是它能提供非常高的輸入阻抗以及低輸出阻抗。
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