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        6. MOS管前的電阻的作用介紹
          • 發(fā)布時間:2021-09-17 17:05:21
          • 來源:
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          MOS管前的電阻的作用介紹
          首先看看管子:
          MOS管前的電阻
          驅(qū)動電路示意:
          MOS管前的電阻
          我把信息反饋給了空調(diào)供應(yīng)商,等回復(fù)。
          首先要明確一個概念,模擬電路不是軟件編程、非 0 即 1,而是一個連續(xù)變化的過程。無論是電容上的電壓還是電感上的電流,都不能突變,否則將產(chǎn)生災(zāi)難性的后果。上跳沿和下降沿并不是越陡峭越好,有時候在設(shè)計中甚至故意添加一些電阻讓上升下降沿變得平緩以保護(hù)元器件。當(dāng)然,如果你能在確保安全的情況下,盡可能能地提高上升下降沿的頻率的話,你就是模電設(shè)計高手了。
          先來看 R17,它有三個作用,其一是防止震蕩,其二是減小柵極充電峰值電流,其三是保護(hù) NA-場效應(yīng)管的 D-S 極不被擊穿。
          先來看第一點,一般單片機(jī)的 I/O 輸出口都會帶點雜散電感,在電壓突變的情況下可能和柵極電容形成 LC 振蕩,當(dāng)它們之間串上 R17 后,可增大阻尼而減小振蕩效果。
          第二,當(dāng)柵極電壓拉高時,首先會對柵極電容充電,充電峰值電流可大致計算為:MOS管前的電阻可見已經(jīng)超過了單片機(jī)的 I/O 輸出能力,串上 R17 后可放慢充電時間而減小柵極充電電流。
          第三,當(dāng)柵極關(guān)斷時,NA-管的 D-S 極從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時,漏源極電壓VDS 會迅速增加,如果 過大,就會擊穿器件,所以添加 R17 可以讓柵極電容慢慢放電,而不至于使器件擊穿,100 歐是比較通用的做法。
          接下來看 R16,其作用是下拉型抗干擾電阻。當(dāng)單片機(jī)剛上電時,I/O 口一般都處于高阻態(tài),如果沒有 R18,柵極電壓就處于懸浮狀態(tài),可能意外使場效應(yīng)管導(dǎo)通,R16 的選值范圍沒啥特別的講究,筆者曾經(jīng)用 1.8k 和 180k 都仿真過,看不出對輸出波形有明顯影響。
          再接下來看 R2,它的作用是上拉 NA+場效應(yīng)管的柵極,其阻值不能太小,太小會造成三極管導(dǎo)通時承受過大的電流;同樣,阻值也不能太大,太大會導(dǎo)致場效應(yīng)管的柵極電壓上升緩慢,而影響開關(guān)性能。關(guān)于這點再多說兩句,如果阻值太大,這個時候的影響場效應(yīng)管開關(guān)速度的瓶頸不在MOSFET的柵極電容上,而是在三級管的BC極電容上!當(dāng)STEUER_A+從低電平變高電平后,VCC 首先會通過 R2 給三級管的 BC 極電容充電,如果 R2 太大會導(dǎo)致充電速度緩慢,從而導(dǎo)致 R2 兩端電壓變化緩慢,進(jìn)而影響場效應(yīng)管的柵源極電壓上升速度。網(wǎng)友 lijieamd 兄做了個很有意義的實驗:在三極管的 BC 極并了個鉗位二極管,強(qiáng)制不給 BC 極電容充電,然后發(fā)現(xiàn)場效應(yīng)管的上升下降沿都有明顯的改善。
          最后看 R3,是三級管的基極電阻,這個沒啥特別的講究,只要確保三極管能正常工作在放大區(qū)就可以了。
          以上就是對各電阻作用的定性分析。
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