隨著電子設(shè)備的不斷更新，其的性能要求也越來越高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計與研發(fā)中，不僅是開關(guān)電源電路，還是攜帶式電子設(shè)備的電路，都使用了場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，可應(yīng)用于放大、可變電阻等作用，因此正確選擇選場效應(yīng)晶體管是一件非常重要的事情。那么如何選擇?下面一起來看卡：
1.溝道類型
挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中，當(dāng)一個場效應(yīng)晶體管接地，而負(fù)載接入到干線電壓上時，該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選用N溝道場效應(yīng)晶體管，它是出自于對關(guān)閉或?qū)娮釉妷旱目紤]。當(dāng)場效應(yīng)晶體管接入到總線及負(fù)載接地時，就需要用高壓側(cè)開關(guān)。一般會在這一拓?fù)渲羞x用P溝道場效應(yīng)晶體管，這又是出于對電壓驅(qū)動的考慮。
場效應(yīng)晶體管
2.額定電流
該額定電流應(yīng)是負(fù)載在全部狀態(tài)下可以承載的最高電流。與電壓的情形類似，保證選定的場效應(yīng)晶體管能經(jīng)受這一額定電流，即便在系統(tǒng)造成尖峰電流時。要考慮的兩個電流情形是持續(xù)模式和脈沖尖峰。在持續(xù)導(dǎo)通模式下，場效應(yīng)晶體管處在穩(wěn)態(tài)，這時電流持續(xù)通過電子元件。脈沖尖峰指的是有大量電涌(或尖峰電流)流經(jīng)電子元件。一旦明確了這些條件下的最高電流，只需直接挑選能承載這個最高電流的電子元件便可。
3.導(dǎo)通損耗
在實際情況下，場效應(yīng)晶體管并不一定是理想的電子元件，歸因于在導(dǎo)電過程中會有電能消耗，這叫做導(dǎo)通損耗。場效應(yīng)晶體管在“導(dǎo)通”時好比一個可變電阻，由電子元件的RDS(ON)所確認(rèn)，并隨溫度而明顯變動。電子元件的功率損耗可由Iload2×RDS(ON)估算，因為導(dǎo)通電阻隨溫度變動，因而功率損耗也會隨著按占比變動。對場效應(yīng)晶體管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小;反之RDS(ON)就會越高。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微升高。關(guān)于RDS(ON)電阻的各類電氣叁數(shù)變動可在生產(chǎn)商出示的技術(shù)資料表里得知。
4.開關(guān)性能
影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最關(guān)鍵的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在電子元件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每一次開關(guān)時都要對它們充電。場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度因而被減少，電子元件效率也降低。為計算開關(guān)過程中電子元件的總耗損，要計算開通過程中的耗損(Eon)和關(guān)閉過程中的耗損(Eoff)。場效應(yīng)晶體管開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=(Eon+Eoff)×開關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大。
5.額定電壓
明確需用的額定電壓，或是電子元件能夠承載的最高電壓。額定電壓越大，電子元件的成本就越高。按照實踐證明，額定電壓應(yīng)該高于干線電壓或總線電壓。這樣才可以提供足夠的保護(hù)，使場效應(yīng)晶體管不會失靈。
對于選擇場效應(yīng)晶體管來講，務(wù)必明確漏極至源極間將會承載的最高電壓，即最大VDS。了解場效應(yīng)晶體管能承載的最高電壓會隨溫度而變動這點非常關(guān)鍵，應(yīng)必須在整個操作溫度范圍內(nèi)檢測電壓的變動范圍。額定電壓一定要有足夠的余量覆蓋這一變動范圍，保障電路不會無效。需要考慮的其它安全因素包含由開關(guān)電子產(chǎn)品(如電機(jī)或變壓器)引起的電壓瞬變。不同使用的額定電壓也各有不同;一般來說，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。
6.系統(tǒng)散熱
須考慮二種不一樣的情況，即最壞情況和具體情況。提議選用針對最壞情況的計算結(jié)果，由于這一結(jié)論提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不易失靈。在場效應(yīng)晶體管的材料表上還有一些必須留意的測量數(shù)據(jù);電子元件的結(jié)溫相當(dāng)于最大環(huán)境溫度再加熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。依據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的最大功率損耗，即按定義相當(dāng)于I2×RDS(ON)。我們已即將通過電子元件的最大電流，能夠估算出不同溫度下的RDS(ON)。此外，也要搞好電路板以及場效應(yīng)晶體管的散熱。
雪崩擊穿指的是半導(dǎo)體器件上的反向電壓超出最高值，并產(chǎn)生強(qiáng)電場使電子元件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會增強(qiáng)抗雪崩能力，最后提高電子元件的穩(wěn)健性。因而挑選更大的封裝件能夠有效避免雪崩。
以上就是場效應(yīng)晶體管的選擇介紹了。場效應(yīng)晶體管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)晶體管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)晶體管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
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