在28nm以下，由于最大器件長度限制，模擬設(shè)計人員經(jīng)常要對多個短長度的MOSFET串聯(lián)來創(chuàng)建長溝道的器件。這些串聯(lián)連接的器件通常被稱為堆疊MOSFET或堆疊器件。
例如，將三個1μm的MOSFET串聯(lián)堆疊，可創(chuàng)建一個溝道長度為3μm的有效器件(圖1)。
圖1：將三個MOSFET串聯(lián)堆疊，可提供3μm的溝道長度。
堆疊MOSFET在現(xiàn)代模擬設(shè)計中非常常見，但并不是沒有問題。其主要問題是電容增加以及面積更大。電容增加很大程度上是由于器件周圍的互連增加。總柵極面積和總柵極電容與非堆疊等效電路相似，但在互連線上有額外的寄生電容。與單個長溝道器件相比，堆疊器件的物理分離增加了總設(shè)計面積。
當在電路中使用堆疊MOSFET時，版圖質(zhì)量變得比平常更重要。不良的版圖設(shè)計會顯著增加寄生電容和設(shè)計面積，并可能使電路無法滿足期望的性能特性。
版圖設(shè)計工程師必須非常小心地設(shè)計這些器件的版圖。大多數(shù)從事于這些較小工藝節(jié)點的設(shè)計人員都經(jīng)歷過版圖前仿真和版圖后仿真非常不同的情況。通常，這歸因于堆疊器件上所存在的互連寄生效應(yīng)。
下面來看看幾種實現(xiàn)堆疊MOSFET高質(zhì)量版圖的方法。圖2中的子電路顯示了將四個NMOS MOSFET堆疊在一起而創(chuàng)建一個長溝道器件。
圖2：將四個MOSFET堆疊，可創(chuàng)建一個長溝道電路。
在這個電路中可以看到，所有的柵極引腳都是相互連接的(所有四個整體連接也是如此)，也可以看到，所有的MOSFET都是通過將一個器件的漏極與下一個器件的源極串聯(lián)起來而連接在一起。
在這種情況下，由于每個器件都是簡單的單指MOSFET，因此可以使用簡單的擴散分配版圖模式來設(shè)計這種結(jié)構(gòu)的版圖。
圖3：將左邊的簡單堆疊情況與右邊的等效長溝道器件進行比較。
簡單堆疊情況的版圖如圖3左邊所示，可以看到它幾乎沒有額外的互連，因為等效的長溝道器件(右邊)也需要一個多晶硅觸點。在這種情況下，面積不利顯著，但這是不可避免的，并且由多晶硅最小間距規(guī)則所決定。
這種方法的另一個問題是，非常長的有效器件可能導致非常長的擴散分配鏈路。然而，可以將長鏈折疊成多行，如圖4所示。但是，其代價是這增加了額外的互連，并進一步增加了堆疊器件的電容。
圖4：可以將長鏈折疊成多行。
圖5中的電路顯示了電路設(shè)計人員想要在電路中使用兩指MOSFET來實現(xiàn)更好匹配的情況。
圖5：可以在電路中使用兩指MOSFET實現(xiàn)更好的匹配。
兩指器件不能通過擴散分配連接，因此必須使用不同的布局和布線方法。為了實現(xiàn)緊湊的版圖，器件是按列來連接的，而不是前面示例中所示的按行模式。
圖6：按列進行連接(左側(cè))；這種按列模式的布局機制如右側(cè)所示。
在圖6中，左圖顯示了連接模式，也即將一個器件的漏極與下一個器件的源極垂直相連。如圖所示，連接是按列的方式進行的，交替器件的不同參數(shù)在MOSFET的漏極中心變體和源極中心變體之間進行交換。交換的觸點使列中的器件之間可以進行直線布線，從而就可避免彎曲以及額外的過孔。
在右側(cè)可以看到這個按列模式的布線模式。有額外的互連，但與通常的接觸增強所需的互連相比并不會明顯增多。
電路設(shè)計人員也可以為堆疊的器件指定m因子。堆疊m因子拓撲使電路設(shè)計人員可使用多個小型MOSFET構(gòu)建具有長、寬溝道的器件。圖7顯示了m因子為4的單指堆疊器件。
圖7：具有m因子拓撲的單指堆疊器件。
在圖7的版圖中可以看到，這種模式中包含了前面按行模式的四個副本，這樣一來就可確保器件之間額外布線的數(shù)量最少。
本文中展示了一些可用于堆疊MOSFET的基本模式。在上述所有例子中，器件的布局和布線是實現(xiàn)高質(zhì)量版圖設(shè)計的關(guān)鍵。
Pulsic的Animate Preview工具中的技術(shù)將布局和布線結(jié)合在一次操作中。這使Animate Preview可以為堆疊器件實現(xiàn)上述最佳版圖設(shè)計模式。每個器件的準確位置、方向和參數(shù)化都必須經(jīng)過優(yōu)化才能獲得期望的結(jié)果。
同時，該工具還必須考慮流經(jīng)每個器件的電流，從而最大限度地降低互連的復雜性和長度。模擬版圖設(shè)計總是需要仔細平衡多個競爭優(yōu)先事項，沒有一種行事方式能在所有情況下都有效。
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