<form id="wmgnk"><tr id="wmgnk"></tr></form>
<label id="wmgnk"><samp id="wmgnk"></samp></label>
<button id="wmgnk"><pre id="wmgnk"><ol id="wmgnk"></ol></pre></button>

          <sup id="wmgnk"><input id="wmgnk"><em id="wmgnk"></em></input></sup>
          乌克兰少妇xxxx做受野外,成在线人永久免费视频播放,欧美牲交a欧美牲交aⅴ图片,艳妇荡女欲乱双飞两中年熟妇,亚洲人BBwBBwBBWBBw,最新AV在线,中文字幕爆乳julia女教师,色欲av永久无码精品无码蜜桃

          您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

          深圳市烜芯微科技有限公司

          ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
          二極管、三極管、MOS管、橋堆

          全國服務(wù)熱線:18923864027

        1. 熱門關(guān)鍵詞:
        2. 橋堆
        3. 場效應(yīng)管
        4. 三極管
        5. 二極管
        6. 開關(guān)電源鉗位電路圖文解析
          • 發(fā)布時間:2022-05-23 12:34:38
          • 來源:
          • 閱讀次數(shù):
          開關(guān)電源鉗位電路圖文解析
          反激中RCD鉗位電路的電壓分析
          開關(guān)電源 鉗位電路
          一:如上圖紅框里面的電路是反激電源的鉗位電路,用的RCD鉗位,這一個電路在開關(guān)電源中非常常見,可以說現(xiàn)在市面上的反激大部分是用的這一電路。
          設(shè)計這個電路的目的是吸收反激變壓器漏感的能量,限制MOS功率管的最大反向峰值電壓。
          但是設(shè)計的時候我們怎么選取是一個很大的問題,RC吸收損耗太重會影響整機的效率,如果RC損耗太輕的就會影響MOS管的電壓尖峰,導(dǎo)致尖峰太高MOS管電壓應(yīng)力超。
          二:設(shè)計RCD吸收電路之前,我們要清楚為什么需要設(shè)計這一電路,目的是什么。對于反激變壓器都知道是有漏感存在的,首先需要知道漏感是一個什么。
          我們知道變壓器主要是由初級線圈,次級線圈與磁芯組合而成,它是利用電磁感應(yīng)的原理來改變交流電壓的一種元器件,理想的變壓器是沒有損耗的并且沒有漏磁通,
          但是實際中的電感是有損耗與漏磁通,初級線圈所產(chǎn)生的磁通不能都通過次級線圈,產(chǎn)生漏磁的電感就是漏感,也就是說在漏感中的能量是不能傳遞到副邊的,
          這一部分能量只能在原邊,不能傳遞到副邊的這些能量我們的需要處理,可以通過一些電路來吸收掉,或是返回到輸入母線上去,這就有人會設(shè)計所謂的無損吸收,但是在實際應(yīng)用中比較復(fù)雜并且EMI不好。
          所以大多數(shù)都是用RCD損耗掉了,那我們設(shè)計RCD的目的就是把漏感能力吸收掉,但是不能把主回路的能量損耗掉,否則會影響整機的效率。要做到這點必須對RC 參數(shù)進行優(yōu)化設(shè)計。
          開關(guān)電源 鉗位電路
          三:我們來分析下RCD吸收的整個過程,
          當(dāng)MOS管開通的時候電感電流上升到Ip時MOS管關(guān)斷,漏感上的能力不能傳到副邊,這時候只能通過D6給C3充電,把所以的能力都充到C3上,
          當(dāng)C3比較小的時候,那么C3上的電壓Vc就上升的比較高,這時候為了MOS管的應(yīng)力,我們可能會加大C3的容量,具體可以通過測試實際的波形來判斷。
          但是,我們不希望電容太大,如太大會導(dǎo)致關(guān)斷的時候C3上的電壓Vc小于反射電壓Vr,導(dǎo)致副邊反射過來的電壓Vr一直在給RCD充電,導(dǎo)致整機效率低。
          電容的選擇我們需要剛好適合我們MOS管的Vds電壓。
          我們的電阻的選擇也不能太小了或太大,如果太小了會導(dǎo)致Q1沒有開通前,C3上的電壓已經(jīng)掉到了反射電壓Vr了,這時候反射電壓Vr又會對RCD充電損耗輸出的能量。
          電阻值太大會導(dǎo)致我們在開機與短路的時候會出現(xiàn)MOS管電壓應(yīng)力超
          我們?nèi)鐖D上的C3上的電壓波形3一樣,就是關(guān)斷的時候電壓上升到Vr以上,當(dāng)MOS管的開通的時候C3電容上的電壓沒有下降到Vr,并且當(dāng)下次開通的時候C3上的電壓還沒有掉到0V.這是我們的最佳選。
          開關(guān)電源 鉗位電路
          四:鉗位電路上的電阻與電容的選擇。
          VDS是MOS管的額定電壓,我了留有余量我們一般都是取MOS管的額度電壓的0.9倍。
          Vc是RCD上C的電壓
          Vin-max是輸入的最大電壓
          Vc=0.9VDS-Vin-max
          f為開關(guān)頻率
          Ip原邊的峰值電流
          漏感上的能量都被電容吸收,然后都損耗到電阻R1上。
          電阻上損失的功率Pr=Vc^2/R1,實際的電阻需要取2倍的Pr
          漏感中轉(zhuǎn)過來的能量WR=Wlr1+Wlr*Vr/(Vc-Vr)
          轉(zhuǎn)換成功率就是Pr=1/2*f*Lr*Ip^2{1+Vr/(Vc-Vr)}
          Vc^2/R1=1/2*f*Lr*Ip^2{1+Vr/(Vc-Vr)}
          R1=2(Vc-Vr)*Vc/(Ip^2*f*Lr)
          鉗位電容C3的取值
          △V一般取Vc的5%-10% ,
          C3≥Vc/(△V*R1*f)
          在電阻與電容選定后,實際的電路中還需要測試看是不是我們需要的值。
          〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
           
          電話:18923864027(同微信)
          QQ:709211280

          相關(guān)閱讀