高端MOS為什么要自舉電路
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動，只有G極比S極高一個開啟電壓Vth之后，MOS才會導(dǎo)通（這里指NMOS）。
但是如下圖，用12V給G極，但是由于R7流過電流的時候存在壓降（歐姆定律）。導(dǎo)致S極被抬高。所以給到MOS的驅(qū)動電壓是G-S=12-8.42=3.58V。
在不是低壓MOS中，一般datasheet建議使用10V,或者12V來進行驅(qū)動，雖然3.58V也能進行導(dǎo)通，但是導(dǎo)通電阻Rds會比用10V驅(qū)動時大很多。帶來MOS發(fā)熱的問題。
解決的辦法有很多，比如可以用一個PMOS作為高端驅(qū)動。但是由于工藝的問題，PMOS作為高端MOS，存在性能差，想達(dá)到相同的性能價格又貴很多的問題。
這時自舉電路就應(yīng)運而生了。如果有這么一個電路，能給G極產(chǎn)生一直比S極大10V的電路，即使這個電壓比電源電壓還要高。
分立元件搭建自舉電路
基本的概念有了，就可以用真實的電路圖代替進行分析。
由于BUCK在MOS導(dǎo)通階段S極是浮地的。所以必須加上自舉電路來驅(qū)動。
具體分析如下：
XFG1信號發(fā)生器高電平時，Q2導(dǎo)通，由于Q2導(dǎo)通，給Q1的b極提供回路，Q1導(dǎo)通，經(jīng)過D2和R2給MOS進行充電（Q4的b極是高電平，因為R3流過電流形成壓降，所以Q4也是關(guān)閉的）。MOS導(dǎo)通。
XFG1信號發(fā)送器低電平時，Q2關(guān)閉，由于Q2關(guān)閉，Q1的b極沒有回路，Q1關(guān)閉，這時Q4的b極有R3這個回路，所以Q4導(dǎo)通，MOS的G極放電。MOS關(guān)閉。
仿真了一下在100K下的波形，綠色為MOS的G極到S極的波形，紅色是MOS的S到地的波形。就仿真的結(jié)果來看自舉的部分還是不錯的。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280