MOS管驅(qū)動(dòng)電路
常用的MOS管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如下所示：驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。
mos管驅(qū)動(dòng)芯片
MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片如TC4420來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管，這類(lèi)的芯片一般有很大的瞬間輸出電流，而且還兼容TTL電平輸入，MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下：
mos管驅(qū)動(dòng)芯片選型
驅(qū)動(dòng)芯片的存在主要是為了開(kāi)通MOS管，為了提供MOS管開(kāi)通所需要的電壓，需要自舉升壓電路，驅(qū)動(dòng)芯片的意義正是自舉升壓相關(guān)的一些電路。
驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)單而言就是把單片機(jī)產(chǎn)生的PWM波形進(jìn)行放大輸入到MOS管的柵極G，從而達(dá)到開(kāi)通關(guān)斷MOS管的目的。
下表列出了驅(qū)動(dòng)芯片選型時(shí)需要關(guān)注的主要參數(shù)：
對(duì)于拉灌電流能力這一參數(shù)需要進(jìn)一步解釋?zhuān)瑥牡刃用嫔现v，MOS管的各極之間都存在寄生電容，MOS開(kāi)通的過(guò)程就是對(duì)極間電容充電的過(guò)程，如圖所示為MOS管極間電容的示意圖，所謂灌電流就是將電流灌進(jìn)G極使得MOS開(kāi)通，拉電流就是將電荷從G極抽出使得MOS關(guān)斷，拉灌電流的力度決定了MOS開(kāi)通的程度。
MOS管極間電容示意圖
對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行選型時(shí)， 需要格外注意將驅(qū)動(dòng)芯片拉灌電流能力值與MOS管的參數(shù)相匹配，如果不匹配將會(huì)出現(xiàn)俗稱(chēng)為“帶不動(dòng)”的情況。
那么這一值具體應(yīng)該怎么匹配呢？以IRLB4030和IR2101S為例進(jìn)行計(jì)算：
這之中用到了MOS管的反向恢復(fù)電荷Qrr，IRLB4030的恢復(fù)電荷在125攝氏度時(shí)為130nC，我們?nèi)?50nC，假設(shè)電機(jī)控制PWM波的頻率為10KHz，即周期為100us，假設(shè)PWM電壓從零到最大值的階躍時(shí)間為1us，那么MOS管需要的電流值為：
I=Q/T&=150nC/1us=150mA
那也就是說(shuō)驅(qū)動(dòng)芯片拉灌電流值應(yīng)該至少達(dá)到150mA才能帶的動(dòng)IRLB4030，IR2101S的拉灌電流值在130mA到270mA之間，基本符合條件，因此這兩款驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管的匹配使用是合理的。
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