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        6. 場效應(yīng)管符號(hào),MOS管電路符號(hào)介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2024-05-31 18:12:04
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          場效應(yīng)管符號(hào),MOS管電路符號(hào)介紹
          場效應(yīng)管是利用電場控制的半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成等特點(diǎn)。符號(hào)如圖所示,場效應(yīng)管有三個(gè)極,分別是源極S,柵極G,漏極D。場效應(yīng)管的文字符號(hào)是“ VT ”。
          場效應(yīng)管符號(hào)
          場效應(yīng)管可分結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管因有兩個(gè)PN結(jié)而得名;絕緣柵型場效應(yīng)管則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。
          結(jié)型場效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種;絕緣柵型場效應(yīng)管除有N溝道和P溝道之分外,還有增強(qiáng)型與耗盡型之分。
          場效應(yīng)管符號(hào)
          絕緣柵型場效應(yīng)管電路符號(hào)
          絕緣柵型場效應(yīng)管:種利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng),感應(yīng)電荷多少改變導(dǎo)電溝道來控制漏極電流的電子元器件;柵極與半導(dǎo)體間絕緣; N溝道在一塊濃度較低P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
          場效應(yīng)管符號(hào)
          增強(qiáng)型場效應(yīng)管電路圖符號(hào)
          場效應(yīng)管符號(hào)
          結(jié)型場效應(yīng)管電路圖符號(hào)
          場效應(yīng)管符號(hào)
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