MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
工作原理
MOS管的工作狀態(tài)主要取決于柵源電壓Vgs。當(dāng)Vgs高于一定的閾值電壓時(shí)，MOS管導(dǎo)通；當(dāng)Vgs低于閾值電壓時(shí)，MOS管截止。對(duì)于N型溝道MOS管，當(dāng)柵極相對(duì)于源極為正時(shí)，自由電子被吸引到柵極下面的區(qū)域形成N型溝道，從而使源極和漏極之間形成導(dǎo)電通道；而對(duì)于P型溝道MOS管，情況則相反，需要柵極相對(duì)于源極為負(fù)才能吸引空穴形成P型溝道。
MOS管的特點(diǎn)
高輸入阻抗：MOS管的輸入端（柵極）基本上是一個(gè)電容器，幾乎沒(méi)有電流流入，因此具有極高的輸入阻抗。
低功耗：由于柵極無(wú)電流流過(guò)，MOS管在靜態(tài)狀態(tài)下幾乎不消耗功率，這使得它在便攜式設(shè)備和節(jié)能設(shè)備中非常受歡迎。
易于集成：MOS管的制造工藝與集成電路的其他部分相兼容，便于大規(guī)模集成。
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