自舉電容電路用于解決MOS管驅動電壓不足的問題，通過電容升壓使電壓高于Vin，實現(xiàn)導通。在電路中，當PWM為1時，Q1導通，Q2的B端電壓為低，Q2導通，Q2的E端電壓為14V，經(jīng)過Q2、D2、R4后，G端電壓為12V，實現(xiàn)Q管導通。當PWM為0時，Q1斷開，Q2也斷開，自舉電容C3的泄放電壓為0，電機電流續(xù)流通過體二極管，C3電容充電完成。自舉電源的電壓需要比MOS管驅動電壓高約2V。
我們知道，MOS管是電壓驅動型器件。當G極大于S極至少一個Vth時，MOS管才會導通。我們來看下面這個電路：
這里的G極是12V，但由于電阻R7流過電流時存在壓降，導致G極被抬高。
一般不是低壓MOS的情況下，datasheet的驅動電壓用10V或者12V，在上圖電路中我們將驅動電壓設為G-S= 12-8.42=3.58V，3.5V同樣能實現(xiàn)導通，但是導通電阻會很大，導致MOS管發(fā)熱。
這時候，自舉電容電路的用處就來啦。
首先簡單解釋下自舉電容電路
自舉，是指通過開關電源MOS管（這里指上管）和電容組成的升壓電路，一般通過電源對電容充電，使其電壓高于Vin。
最簡單的自舉電路由一個電容構成，為了防止升高后的電壓，會回灌到原始的輸入電壓，通常會加一個二極管。
它的優(yōu)勢在于利用電容兩端電壓不能突變的特性來升高電壓。
那么在剛剛上述的電路問題中，我們就可以用自舉電容的方法來解決。
我們來看下面這個自舉電路
-電容的左端為VB，即Vboost，電容的右端為VS浮地；
-C3則為自舉電容；
-M為感性負載，電流向右續(xù)流。
MOS管Q開通
假設此時的自舉電容C3已經(jīng)充滿電，為14V。
當PWM為1時，Q1實現(xiàn)導通，C端的電壓為低，接著Q2的B端電壓也為低，Q2導通；
這時Q2的E端電壓為14V，經(jīng)過Q2、D2、R4以后MOS管G端大概為12V，Q管（MOS）導通。在這里我們可以得知，自舉電源的電壓需要比MOS管驅動電壓高約2V。
此后Q3的B端電壓高于E端，Q3則關斷。
Q管導通以后，VM（電機M為感性負載）直接施加在Q管的S端，由于S端與電容的右端相連，自舉電容C3右端被抬高，大概在24V。
這時 電容兩端的電壓無法突變，電容左邊的電壓同樣被抬高，此時14V+24V=38V。
隨后，38V電壓經(jīng)過Q2、D2、R4持續(xù)給Q管的G端供電。
最后便達到了Q管的S端和G端被同時抬高至24V，且Vgs=12V。
接著我們來說MOS管Q關斷的情況：
當PWM變?yōu)?時，Q1斷開，Q2的BE沒有了電流路徑，Q2就會斷開。這時自舉電容的泄Vgs=0，Q管則關閉。
電機M（感性負載）電流向右續(xù)流，電流通過Q管的體二極管進行續(xù)流，此時C3電容右端電壓為-0.7V，無法起到升壓作用。二極管D1導通，14V電源通過D1給C3電容充電，充電完成。
接著PWM從0切換為1繼續(xù)循環(huán)步驟。
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