20N02,20N02場效應(yīng)管參數(shù),20N02參數(shù)規(guī)格書,封裝SOP-8
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20N02/SOP-8/SOIC-8封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
20N02場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
20N02場效應(yīng)管極性：NPN
開啟電壓VGS：min 0.4V typ 0.7V max 1V
開啟電壓VGS：min 0.4V typ 0.7V max 1V
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：20V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：20A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：38W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=10A,VGS=4.5V：Typ 4.8mΩ Max 6.8mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=2.5V：Tpy 6.8mΩ Max 10mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
20N02場效應(yīng)管SOP-8/SOIC-8封裝尺寸：
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